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iST推二代MEMS分析独家研发动态检测异常MEMS万芳

发布时间:2020-02-14 11:58:49 阅读: 来源:礼品盒厂家

iST推二代MEMS分析,独家研发「动态检测异常」 - MEMS - 电子工程网

随MEMS组件已成为智能产品的主要核心,iST集团-台湾总部宜特科技 MEMS微机电系统检测技术再突破。宜特继去年成功建构出MEMS G-Sensor的标准失效分析流程,协助开发MEMS的客户完成检测,今年宜特更利用独特动态手法,独家研发出第二代MEMS异常点检测,此技术手法不仅领先业界两个世代,更实际运用在MEMS组件的设计/制造公司,使得宜特 MEMS委案量成倍数成长。

宜特观察发现,许多MEMS开发公司,在产品试产阶段,将会做信赖性验证,确保产品质量。然而,在信赖性验证过程中,易造成沾黏(Stiction)、讯号移位(Off-set)、结构毁损(Structure damage)等失效状况。为解决失效状况,许多MEMS厂商,在藉由制作样品找异常点时,因不熟悉分析手法,又再一次造成组件污染,导致更难厘清是产品本身问题,还是样品制备过程出错。

此外,因组件为悬浮结构,以外力移除时也易产生毁损。双方影响下,容易造成组件污染和应力破坏,不但没有找出真因,反而制造更多失效盲点。

宜特故障分析工程处处长 许如宏表示,宜特无应力/无污染的标准分析技术,不仅协助台湾超过九成的MEMS客户在设计时,厘清失效因素,更在设计业者投片取得MEMS晶圆后,协助检测晶圆公司无法载出介层的异常现象。

许如宏进一步指出,今年,宜特再接再厉,开发出领先业界两个世代以上的「二代MEMS无应力全质量块移除分析技术」(参见下图),搭配独特动态/结构手法,更可精确的在MEMS非破坏的状态下,取得异常模态信息,并经由MEMS样品制备后影像交叉比对,找出失效真因,并对症下药,快速改善异常现象。

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